1.1 项目概况：全新介质层化学机械研磨（CMP）设备1台 。

1.2 资金到位或资金来源落实情况:已落实。

1.3 项目已具备招标条件的说明：已具备。

2. 招标内容

2.1 项目实施地点：重庆市沙坪坝区西园南街20号

2.2设备主要功能：化学机械研磨CMP（Chemical Mechanical Polishing）是利用旋转的抛光头以一定的压力将wafer压在旋转的抛光垫上，通过化学去膜和机械去膜的交替过程中实现全局平坦化，是集成电路制造中的常用工艺。利用CMP设备可以实现IC器件全局平坦化，实现更小的设计图形，更多层的金属互连，提高电路的可靠性、速度和良品率。为满足以硅光产品为代表的特殊工艺要求，本次招标设备的研磨均匀性需高于常规8英寸3 Zone研磨头CMP设备的能力，同时对CMP膜厚管控有较高的要求，可根据膜厚反馈之Polish time实现自动平坦化process。

2.3交货：自合同签订后的4个月内完成设备交货，设备装机与调试不超过30个工作日。

3.投标人资格要求

3.1 投标人具有独立法人资格，提供有效的营业登记等许可经营的证明文件。

3.2本次招标不接受代理商投标，只接受原厂参与投标。

3.3本次招标不接受转包、分包或联合体投标。

3.4应标机台为200mm CMP全自动化量产机型，2021年7月初至2010月底在8吋晶圆半导体工厂（不含封装工厂）售出量≥10台，并提供相应的销售合同等作为证据。

3.5投标人必须向招标代理机构购买招标文件并进行登记才具有投标资格；接受委托参与项目前期咨询和招标文件编制的法人或其他组织不得参加投标。

3.6投标人未被列入其他同行业公司的黑名单，需提供自我声明；

4.招标文件的领购

4.1 招标文件领购开始：20 12 月 9 日

4.2 招标文件领购结束：20 12 月 1

4.3招标文件售价：500人民币/套

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联系人：刘欣
电话：010-68809590
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