一、技术参数：1、基于合肥晶###****公司CIS工艺平台下完成像素设计开发，提供稳定可用于量产的像素工艺和结构，像素IP可满足课题组开###路模块使用。像素规格参数如下：像素尺寸：********μm*********μm；快门方式：卷帘曝光；工艺节点：90nm；分辨率：256*256；满阱电荷：≥7000 e-；Image Lag：≤1 e-；暗电流：≤10 e-/s；2、基于器件模型，建立与所提供********μm像素相对应的TCAD器件模型。模型为3D立体结构，模型中需包括器件各区域掺杂浓度和分布等关键数据信息，同时构建与像素相关的主要参数的仿真流程和方法，主要参数包括：满阱电荷、Image Lag；满足课题组在TCAD软件中开展工艺仿真，模型仿真结果与实验数据基本吻合，满足课题组使用；3、开发并提供可满足并用于课题组前期设计的1920（H）*1080（V）分辨率CIS芯片高速接口IP，包括串行接口（最大2 lane MIPI+1 Clock）及并行接口（12bit DVP+1 Clock）模块。4、开发并提供可满足并用于课题组前期设计的1920（H）*1080（V）分辨率CIS芯片IO模块。电源地IO（尺寸≤120*240μm）：IO_VDD28A（电压********）、IO_VSSA（电压0V）、IO_VDD28（电压********）、IO_VDD12（电压********）、IO_VSS；模拟IO（尺寸≤120*240μm）：IO_AIO（电压0~********）、IO_VREFp_GGNMOS（电压0~4V）、IO_VREF2P4_GGNMOS（电压********~0）；数字IO（尺寸≤120*240μm）：IO_DIOX8（电压0~********）、P1523_IO_DIOX8_PU（电压0~********）；其他：IO_VSSCUT（尺寸≤120*240μm）二、需要了解本项目情况请与赵老师联系，联系电话：********。

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