术参数：极限真空度≤********×10-3Pa，样品加热温度≥500℃。3.磁控溅射仪，用于功能材料磁控溅射法制备工艺研究。主要技术参数：极限真空度≤********×10-4Pa，工作温度室温~200℃。********射线荧光光谱仪，用于功能材料组份成分分析。主要技术参数：元素分析范围Al-U；含量分析范围：1ppm~********%；重复性＜5%；探测器分辨率：149Gev。5.

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