本采购项目南网科研院206月直流专业科技类公开竞争性谈判采购项目，采购人为南方电网科学研究院有限责任公司，项目资金已落实。该项目已具备采购条件，现对该项目进行公开竞争性谈判采购。

2.项目概况和采购范围

2.1项目概述：标包1 国产4500V IGBT高海拔辐照特性研究：

柔性直流输电技术是大规模新能源外送的重要载体，高压大容量IGBT是柔性直流输电的核心部件，其可靠性将影响直流输电向更多应用场景扩展。本项目拟针对硅基IGBT半导体器件的中子辐照电气性能退化、开展IGBT宇宙射线大气中子单粒子失效机理研究、IGBT硅基材料及芯片抗宇宙射线大气中子辐照加固技术研究、解决大容量IGBT抗辐照加固问题，获得大气中子对硅材料的影响，实现国产功率器件抗辐照能力的提升。

标包2 大功率硅基IGBT器件高可靠性封装材料及封装技术研究：

柔性直流输电技术是大规模新能源外送的重要载体，高压大容量IGBT是柔性直流输电的核心部件，其可靠性将影响直流输电向更多应用场景扩展。本项目针对矩阵压接凸台的微控制造等可靠性瓶颈难题，开展高压大容量IGBT功率模块的多芯片并联协同优化技术研究、电-热-力多场压接互联界面微动疲劳损伤机理及抑制策略研究、高压大容量IGBT功率模块的柔性封装集成技术及高压电气绝缘技术研究，解决大功率IGBT硬压接工艺问题，研制出硬压接式高压大功率IGBT器件。

标包3 IGBT并联芯片集群的均流均压均温协同优化技术研究：

柔性直流输电技术是大规模新能源外送的重要载体，高压大容量IGBT是柔性直流输电的核心部件，其可靠性将影响直流输电向更多应用场景扩展。本项目针对并联芯片之间的导通电阻、传输特性、寄生电感参数差异，研究压接式硅基IGBT并联集群芯片电、热均衡物理机制，提出封装寄生参数调控方法和主动均流均压方法，解决大功率IGBT多芯片并联电热不均衡的问题。

标包4 特高压多端直流系统高效设计方法研究

南方电网科学研究院已开发的一系列直流成套设计软件为国内首创，是国内现在唯一可商业化应用的成套设计软件。上述软件经过了大量实际工程数据的验证，保证了软件计算的精度。多年来，南网科研院对上述软件进行了持续的完善和升级，分别包括高压/特高压直流输电基本设计软件包、交流系统谐波阻抗计算软件等。目前，国家规划了多个大规模风光电基地，南方电网规划中也明确了青海送南网、澜上送南网等工程。多个工程送端系统电源包括了光伏、风电、火电、水电，还包括了抽蓄、光热、电化学储能等复杂的电源结构，同时上述地区距离粤港澳大湾区均在3500km以上，均为直流设计软件提出了新的挑战。针对上述背景，本项目将研发适用于多类型能源基地超远距离送出的特高压多端直流高效设计软件。

2.2采购范围：标包1：国产4500V IGBT高海拔辐照特性研究

1）研究大气中子在IGBT中产生的缺陷或陷阱电荷的表征技术，建立辐照缺陷或陷阱电荷与器件中子辐照响应的经验公式关系；针对辐照感生陷阱电荷对IGBT阈值电压负向漂移的影响，研究辐照中子辐照感生的陷阱参数与抗中子辐照能力和器件可靠性的关系；建立准确的次级粒子入射模型以及次级粒子引起的IGBT单粒子效应电热耦合模型，研究中子辐照产生的次级粒子电荷收集机制、寄生晶体管闩锁效应以及局域热电集中现象，及失效机理。

2）研究器件内部载流子与电场的耦合、载流子输运及雪崩倍增等过程，得到器件局部的电荷沉积与集聚、电场强度分布重构、雪崩倍增载流子输运等器件物理特性的变化；研究中子在IGBT器件内部沉积的电荷导致寄生晶体管闩锁、雪崩倍增效应以及热电耦合机理，理清器件性能退化的机理；开展沉积电荷补偿和抽取技术研究，探索电荷沉积调控方法，提出加固方法。

3）研究中子能谱、入射方向和器件偏置对单粒子效应的影响，形成中子辐照加速试验方法；借助器件失效位置定位与仿真模拟，研究IGBT在中子辐照前后其电学参数的变化规律，探讨高压IGBT器件的位移损伤效应失效机理；研究宇宙射线大气中子辐照下IGBT失效率计算方法，分析电压偏置条件、温度条件、辐照通量、中子能谱对器件失效率的影响。

标包2：大功率硅基IGBT器件高可靠性封装材料及封装集成技术研究

1）针对纳米互联材料的烧结过程，构建动力学模型，分析温度、、压力等参数对材料烧结质量的影响，实现更高性能的新型封装材料，开展高可靠新型封装材料异质互连研究；研究纳米互联材料在高温、高应力、大电流下的疲劳损伤机理，及互连材料失效的主要影响因素构建多层堆叠异质互连结构的高温电-热-力耦合损伤本构模型，进而提出材料的损伤抑制方法及微结构调控机制，形成高可靠服役设计方法。

2）分析互连结构失效形式和退化规律，搭建微动磨损试验平台，研究压接IGBT内部互联材料在大面积封装结构下的磨损失效行为，形成异质互连界面服役特性演变规律，提出大容量压接IGBT的高可靠结构设计和金属互连方法。

3）研究柔性材料在大容量压接型IGBT器件中的应用方法，研究柔性封装下，并联芯片的电热分布，对电场集中点进行优化，以实现更高的封装耐压特性；通过多场仿真及理论模型，提升器件的电热特性以及封装内部平均最大场强；形成低感、低热阻、高可靠、高短路失效能力的IGBT封装结构，并实现高性能器件样品的加工研制。

标包3：IGBT并联芯片集群的均流均压均温协同优化技术研究

1）研究并联芯片之间的导通电阻、传输特性、寄生电感参数差异与静态电流和动态电流、电压分配之间的关系，及并联芯片之间的热均衡特性；研究芯片高效筛选方法、封装寄生参数调控方法和主动均流均压方法，从芯片选型、功率回路设计、驱动方式等方面实现并联芯片之间动静态电流的均衡。

2）通过局部集成散热技术，构建电磁、热、机械性能的多目标优化模型，并结合电热实验、仿真软件等对器件的综合性能进行优化，提升并联集群芯片双面散热效率。

标包4：特高压多端直流系统高效设计方法研究

1）多类型高压直流输电系统软件架构研究：多类型高压直流输电系统设计功能架构研究，多类型高压直流输电系统高性能调度计算架构研究。

2）多类型高压直流输电系统高效设计软件研发：多类型高压直流系统拓扑设计方法研究，高压直流系统设计模块研发。

2.3项目实施地点：广州。

2.4采购分类：专项。

2.5项目类别：服务。

2.6标的清单：

3.供应商资格要求

3.1通用资格要求

4.采购文件获取

获取开始：2006月217时00分00秒

获取结束：2007月03日17时00分00秒

5.响应文件递交截止：2007月009时00分00秒

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联系人：刘欣
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