1、招标条件
项目概况:设备名称：低应力氮化硅生长炉、原位掺杂多晶硅生长炉
设备数量：
设备1 原位掺杂多晶硅生长炉（1台）：包含低应力多晶硅/多晶硅/原位掺杂多晶硅工艺模块和TEOS工艺模块；
设备2 低应力氮化硅生长炉（1台）：包含低应力氮化硅工艺模块和氮化硅工艺模块。
设备用途：用于生长低应力氮化硅/原位掺杂多晶硅/低应力多晶硅/多晶硅/TEOS薄膜。
资金到位或资金来源落实情况:已到位
项目已具备招标条件的说明:已具备
2、招标内容
招标项目名称:8英寸MEMS晶圆生产线之低应力氮化硅生长炉和原位掺杂多晶硅生长炉
项目实施地点:中国安徽省
招标产品列表(主要设备):

序号	产品名称	数量	简要技术规格	备注
1	低应力氮化硅生长炉	1	薄膜应力范围 -40~＋40MPa (4μm Poly退火后，应力可调)。其他参数详见第八章	无
2	原位掺杂多晶硅生长炉	1	应力范围 -100~0MPa，应力可调。其他参数详见第八章	无

3、投标人资格要求
投标人应具备的资格或业绩:①　投标人如为境内企业，提供企业法人营业执照或事业单位法人证书，如为境外企业提供企业注册登记证。
②　投标人可以是设备制造厂家，也可以是设备授权代理商，代理商需有设备原厂家的有效授权书。
③　投标人开户行开具的，出具日期在开标前三个月内的资信证明原件或该原件的复印件。
④　投标人需要具有履行合同所必需的设备技术支持和服务能力（提供承诺书，格式自理）。
⑤　单位负责人授权书原件。
是否接受联合体投标:不接受
未领购招标文件是否可以参加投标:不可以
4、招标文件的获取
招标文件领购开始:2024-05-10
招标文件领购结束:2024-05-16
招标文件售价:￥3000/$400
5、投标文件的递交
投标截止（开标）:2024-06-03 10:00

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联系人：刘欣
电话：010-68809590
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