1.招标条件 1.1项目名称：介质膜沉积与刻蚀系统1套
1.2资金到位或资金来源落实情况：资金已落实
1.3项目已具备招标条件的说明：已具备
2.招标内容
2.1项目实施地点：陕西省西安市
2.2招标产品列表：

序号	产品名称	数量	交货期
1	介质膜沉积与刻蚀系统	1套	合同签订生效之日起8个月内

2.3简要技术规格：
介质膜沉积与刻蚀系统用于MEMS芯片微结构制造过程中氮化硅和氧化硅介质掩膜制备，其由PECVD等离子体增强化学气相沉积设备1台、RIE反应离子刻蚀机1台等组成（提供分项报价）。
主要技术指标：
适用6英寸圆片。
射频系统配置有低频和高频双射频源；
沉积效率≥6片/小时（6英寸1μm厚度SiO2标准片，含片间清洗、烘片、吹扫等环节）；
载片台控温范围不小于50~400℃，控温精度优于±1℃；
膜层均匀性、重复性优于±3%；
沉积SiNx、SiO2速率≥600Å/min；
刻蚀效率≥6片/小时（6英寸热氧SiO2标准片，刻蚀深度1μm，暴露面积≤20%）；
SiNx、SiO2刻蚀速率≥1000Å/min；
刻蚀均匀性、重复性优于±3%；
更多技术指标详见第八章。
3.投标人资格要求
3.1资格要求：
关境外提供的产品：由关境外投标人参与投标。一旦中标，投标人必须是与买方签订本项目外贸合同的签约方。如投标人不具备与买方签订外贸合同的能力，将否决其投标。
关境内提供的产品：由关境内投标人参与投标。
（招标采购过程中，必须谁投标、谁中标、谁签合同，不能甲投标、乙签合同）。
3.2业绩要求：所投设备必须为半导体或泛半导体行业内知名品牌的成熟产品，该品牌具有良好的销售业绩，提供2020年至今同类型设备合同或验收报告的复印件（至少3家不同用户），并由投标人的单位负责人或其授权代表签字且加盖公章。
3.3本次招标不允许联合体投标。
4.招标文件的获取
4.1招标文件领购：2023年6月209:00~2023年7月17:00（北京）。
4.2招标文件售价：1000元人民币，售后不退。
5.投标文件的递交
5.1投标文件递交截止：2023年7月109:00（如有变更，另行通知）

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联系人：刘欣
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