现邀请合格投标人参加投标。
1.招标条件
1.1项目名称：成膜及深硅刻蚀系统 1套
1.2资金到位或资金来源落实情况：资金已落实
1.3项目已具备招标条件的说明：已具备
2.招标内容
2.1项目实施地点：陕西省西安市
2.2招标产品列表：

序号	产品名称	数量	交货期
1	成膜及深硅刻蚀系统	1套	合同签订生效之日起8个月内

 
2.3简要技术规格：
成膜及深硅刻蚀系统用于MEMS芯片微结构制造过程，在晶圆表面化学气相沉积或热氧化生长氮化硅或氧化硅的介质膜层作为深硅刻蚀掩膜，在掩膜的保护下实施深硅干法刻蚀，实现MEMS芯片微结构的加工。成膜及深硅刻蚀系统由低压化学气相沉积系统1套、氧化扩散炉1套、DRIE深硅干法刻蚀机1套等组成。
主要技术指标：
适用6英寸圆片；
恒温区控温精度优于±1℃；
膜层均匀性优于±3%；
刻蚀均匀性优于±3%；
深宽比≥40:1；
硅与光刻胶刻蚀选择比≥30:1；
侧壁陡直度优于90±0.5°；
更多技术指标详见第八章。
3.投标人资格要求
3.1资格要求：
关境外提供的产品：由关境外投标人参与投标。一旦中标，投标人必须是与买方签订本项目外贸合同的签约方。如投标人不具备与买方签订外贸合同的能力，将否决其投标。
关境内提供的产品：由关境内投标人参与投标。
（招标采购过程中，必须谁投标、谁中标、谁签合同，不能甲投标、乙签合同）。
3.2业绩要求：所投设备必须为半导体或泛半导体行业内知名品牌的成熟产品，该品牌具有良好的销售业绩，提供2020年至今同类型设备合同或验收报告的复印件（至少3家不同用户），并由投标人的单位负责人或其授权代表签字且加盖公章。
3.3本次招标不允许联合体投标。

4.招标文件的获取
4.1招标文件领购：2023年6月09:00~2023年6月117:00（北京）。
4.2招标文件售价：1000元人民币，售后不退。
5.投标文件的递交
5.1 投标文件递交截止：2023年6月209:00（如有变更，另行通知）

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联系人：刘欣
电话：010-68809590
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